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膜厚測量儀

  • 型 號:ME-210-T
  • 訪問次數:2031
  • 更新時間:2023-08-30
  • 價   格:

膜厚測量儀為一種光學系膜厚測量裝置,這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。ME-210-T 活用了本公司*的偏光Senor 技術,將不能變為可能,以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術下,可進行極薄膜的高精度測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T輕松達成。

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高速Mapping橢偏儀(適用透明基板)ME-210-T

膜厚測量儀

適用透明基板的高速Mapping橢偏儀 ···可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布


橢偏儀為一種光學系膜厚測量裝置,膜厚測量儀這個裝置的特點是可以高精度測量1nm一下的極薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。

ME-210-T  活用了本公司*的偏光Senor 技術,將不能變為可能,以往的技術是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術下,可進行極薄膜的高精度測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T  輕松達成。

ME-210-T的高精度膜厚分布資料,定會對先進的薄膜產品的生產有用途。


ME-210-T的特點

1,   高效的測量速度(每分約1000點:)可短時間內取得高密度的面分布數據。

2,   微小領域量測(20un左右)可簡單鎖定&測量任一微小區域。


3,   可測量透明基板

適用于解析玻璃基板上的極薄膜


測量實例

涂布膜邊緣擴大測量

可階段性擴大微小領域,然后獲得詳細的膜厚分布數據


GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量

縮小膜厚顯示范圍,膜厚差距不大的樣品,也可以簡單評估、比較其分布狀況


設備參數

項目

規格

光源

半導體激光(636nm、class2)

小測量領域

廣域模式:0.5mm×0.5mm

高精細模式:5.5um×5.5um

入射角

70『deg』

測量再現性

膜厚:0.1nm 折射率:0.001     ※1

大測量速度

1000point/min(廣域模式)

5000point/min(高精密模式)

載物臺

行程:XY200mm以上

大移動速度:約40mm/scc

尺寸/重量

約650×650×1740mm(W×D×H)/約200kg

電源

AC100V

備注

※1:此數值是以廣域模式測量SiO2膜(膜厚約100mm)其中一點,重復測量100次后的標準偏差值


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